Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQ1902AEL-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 20V POWERPAK SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQ1902AEL
SQ1902AEL-T1_GE3 Hakkında
SQ1902AEL-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim (Vdss) ile tasarlanmış bu bileşen, 780mA sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK SC-70-6 paketinde yüzey montajlı olarak sunulan komponent, düşük gate charge (1.2nC @ 4.5V) ve düşük on-resistance (415mOhm @ 660mA, 4.5V) özellikleri ile dikkat çekmektedir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, entegre devrelerde anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, lojik seviye kontrolü ve RF anahtarlaması gibi alanlarda kullanılır. 430mW maksimum güç derecelendirmesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 780mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.2nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 75pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 430mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 415mOhm @ 660mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok