Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
SPZT751T1G
PZT751 - HIGH CURRENT PNP BIPOLA
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Seri / Aile Numarası
- PZT751
SPZT751T1G Hakkında
SPZT751T1G, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek akım kapasiteli PNP bipolar transistördür. TO-261-4 (SOT-223) SMD paketinde sunulan bu komponent, maksimum 2A collector akımı ve 800mW güç tüketimine sahiptir. 75MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 60V collector-emitter breakdown voltajı ve 500mV saturation voltajı ile güç amplifikasyon, ses frekansı amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde uygulanır. -150°C işletme sıcaklığında güvenilir çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 75 @ 1A, 2V |
| Frequency - Transition | 75MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 800 mW |
| Supplier Device Package | SOT-223 (TO-261) |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok