Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

SPZT751T1G

TRANS PNP 60V 2A SOT223

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
SPZT751

SPZT751T1G Hakkında

SPZT751T1G, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). SOT-223 (TO-261-4) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Maksimum 2A kolektör akımı ve 60V gerilim dayanımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 75MHz geçiş frekansı ve 800mW maksimum güç kaybı ile düşük frekans sürücü devreleri, invertör kontrol devreler ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 150°C maksimum işletme sıcaklığı, geniş sıcaklık aralığında güvenilir çalışma sağlar. DC akım kazancı (hFE) minimum 75 olup 1A/2V koşullarında ölçülmüştür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 2 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 75 @ 1A, 2V
Frequency - Transition 75MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power - Max 800 mW
Supplier Device Package SOT-223 (TO-261)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok