Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SP8M9FU6TB

MOSFET N/P-CH 30V 9A/5A 8SOIC

Paket/Kılıf
8-SOP
Seri / Aile Numarası
SP8M9FU6TB

SP8M9FU6TB Hakkında

SP8M9FU6TB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual MOSFET transistör dizisidir. N-channel ve P-channel kanalları içeren bu bileşen, 30V maksimum Drain-Source geriliminde çalışır. N-channel kanalı 9A, P-channel kanalı ise 5A sürekli dren akımı sağlar. Logic Level Gate özelliği ile düşük giriş gerilimi gereksinimleri karşılar. 8-SOP paket türünde sunulan bileşen, 2.5V maksimum gate eşik gerilimi ve 18mOhm maksimum RdsOn değeri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Endüstriyel kontrol devreleri, motor kontrol, güç yönetimi ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. 150°C maksimum işletme sıcaklığında güvenli çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A, 5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1190pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok