Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SP8M3FU6TB1

MOSFET N/P-CH 30V 8SOP

Paket/Kılıf
8-SOP
Seri / Aile Numarası
SP8M3FU6TB1

SP8M3FU6TB1 Hakkında

SP8M3FU6TB1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N ve P-Channel MOSFET dizi bileşenidir. 30V drain-source gerilimi ile tasarlanan bu transistör, 5A ve 4.5A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 8-SOP yüzey montajlı paketinde sunulan bileşen, düşük gate charge (3.9nC-8.5nC @ 5V) ve kontrollü RDS(on) değerleri (51-56mOhm) ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 150°C'ye kadar çalışan bu MOSFET dizisi, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve analog anahtarlama devrelerinde yer alır. Maksimum 2W güç tüketimi ile enerji verimli tasarımlar için uygundur. Bileşen şu anda üretilmemektedir (obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Ta), 4.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Standard
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 5V, 8.5nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 10V, 850pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C
Part Status Obsolete
Power - Max 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 51mOhm @ 5A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok