Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SP8M2FU6TB

MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOIC

Paket/Kılıf
8-SOP
Seri / Aile Numarası
SP8M2FU6TB

SP8M2FU6TB Hakkında

SP8M2FU6TB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual N ve P-Channel MOSFET transistör dizisidir. 30V drain-source gerilimi ve 3.5A sürekli drain akımı ile çalışabilen bu bileşen, 8-SOP (8-SOIC) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. RDS(on) değeri 10V ve 3.5A'da 83mΩ olup, maksimum 2W güç tüketiminde çalışabilir. Gate eşik gerilimi 2.5V @ 1mA olarak belirtilmiştir. Giriş kapasitansi 140pF ve gate charge 3.5nC'dir. 150°C maksimum çalışma sıcaklığına sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve genel amaçlı dijital lojik sürücü uygulamalarında kullanılabilir. Bileşen artık üretilmemektedir (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Standard
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.5nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 83mOhm @ 3.5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok