Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SP8K32MB1TB1

MOSFET 2N-CH 60V 8SOP

Paket/Kılıf
8-SOP
Seri / Aile Numarası
SP8K32MB1TB1

SP8K32MB1TB1 Hakkında

SP8K32MB1TB1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual N-channel MOSFET dizisidir. 60V drain-source gerilimi ve 4.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Logic level gate sürücü özelliğiyle 4V ile kontrol edilebilir ve 10V gate geriliminde 65mOhm on-resistance değerine ulaşır. 8-SOP yüzey montajlı paketlemede sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor sürücü uygulamalarında kullanılır. Maksimum 2W güç dağıtımı kapasitesi ve 150°C işletme sıcaklığına sahiptir. Bileşen güncel üretimden kaldırılmış olup, tasarım revizyonlarında alternatif seçilmelidir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Logic Level Gate, 4V Drive
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C
Part Status Obsolete
Power - Max 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok