Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SP8K31HZGTB
60V DUAL NCH+NCH POWER MOSFET. S
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SOP
- Seri / Aile Numarası
- SP8K31HZGTB
SP8K31HZGTB Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen SP8K31HZGTB, 60V Drain-Source gerilim dayanımına sahip dual N-Channel MOSFET transistörüdür. Surface mount 8-SOP paketinde sunulan bu entegre devre, 3.5A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 120mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate kapasitansı 250pF ve gate gerilim eşiği 2.5V olan bu bileşen, güç yönetimi uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, anahtarlama güç kaynakları ve yüksek frekanslı uygulamalarda kullanılır. Maksimum 2W güç dissipasyonu ve 150°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ve ticari uygulamalara uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok