Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SP8K1FU6TB

MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC

Paket/Kılıf
8-SOP
Seri / Aile Numarası
SP8K1FU6TB

SP8K1FU6TB Hakkında

SP8K1FU6TB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörleri içeren entegre devredir. 30V drain-source gerilimi ve 5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük gerilim kontrol sinyalleriyle çalıştırılabilir. 51mΩ on-direnci (10V, 5A'de) ile verimli anahtarlama gerçekleştirir. 8-SOP yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol devrelerinde, güç yönetiminde ve analog geçiş uygulamalarında yer alır. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığında 2W güç dağıtabilir. RoHS uyumlu tasarımı endüstriyel ve tüketici elektroniği ürünlerinde yaygın olarak tercih edilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 51mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok