Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SP8J1FU6TB
MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SOP
- Seri / Aile Numarası
- SP8J1FU6TB
SP8J1FU6TB Hakkında
SP8J1FU6TB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistör dizisidir. 30V Drain-Source gerilim (Vdss) ile 5A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Logic level gate işletim özelliğine sahip bu bileşen, 8-SOP (8-SOIC) yüzey montaj paketinde sunulur. 42mOhm RDS(on) değeri düşük kayıp uygulamalar için uygun özellikleri barındırır. Gate eşik gerilimi (Vgs(th)) 2.5V olup, 16nC gate yükü ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Maksimum güç tüketimi 2W'tır. Anahtarlama uygulamaları, sürücü devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılmaya uygundur. NOT: Bu ürün üretimi sonlandırılmış (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok