Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
SMUN5330DW1T1G
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
SMUN5330DW1T1G Hakkında
SMUN5330DW1T1G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) dual transistör çiftidir. Bir NPN ve bir PNP transistörü içeren bu bileşen, 6-pin SOT-363 (SC-88) yüzey montaj paketi ile sunulmaktadır. Her transistöre entegre edilmiş 1kΩ base ve 1kΩ emitter-base dirençleri bulunur. Maksimum 100mA kollektör akımı ve 187mW güç tüketimi ile sınırlı olan bu devre, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 50V Vce breakdown voltajı ve 250mV saturasyon voltajı ile lojik seviyeleri kontrol etmek, küçük sinyalleri işlemek veya düşük güçlü anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Kompakt boyutu nedeniyle portatif cihazlar ve yoğun entegrasyon gerektiren tasarımlara uygun.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 3 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 187mW |
| Resistor - Base (R1) | 1kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 1kOhms |
| Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok