Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
SMUN5230DW1T1G
TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
SMUN5230DW1T1G Hakkında
SMUN5230DW1T1G, onsemi tarafından üretilen dual NPN pre-biased transistör dizisidir. 6-TSSOP (SC-88/SOT-363) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 100mA kolektör akımı ve 187mW güç dağıtımı kapasitesi ile çalışır. Entegre 1kΩ base ve emitter-base direnç değerlerine sahip olan cihaz, ön yükleme özelliği sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında direkt kullanıma hazırdır. 50V Vce breakdown voltajı ve 250mV maksimum saturasyon voltajı ile lojik seviyeleri sürücü devreleri, sinyal koşullandırma, röle kontrolü ve darbe genişlik modülasyon (PWM) uygulamalarında tercih edilir. Düşük güç tüketimi ve kompakt boyutu, mobil cihazlar ve taşınabilir elektronik ürünlerde ideal bir seçimdir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 3 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 187mW |
| Resistor - Base (R1) | 1kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 1kOhms |
| Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok