Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
SMUN5214DW1T1G
TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
SMUN5214DW1T1G Hakkında
SMUN5214DW1T1G, onsemi tarafından üretilen dual NPN pre-biased transistör dizisidir. SOT-363 (6-TSSOP) yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, 187mW maksimum güç yönetimi kapasitesine ve 100mA maksimum kolektör akımına sahiptir. Entegre 10kΩ base ve 47kΩ emitter-base dirençleriyle önceden beslemeli yapısı, sayısal mantık devreleri ve sensör arayüzleme uygulamalarında hızlı geçişler sağlar. 50V maksimum Vce breakdown voltajı ve 80 minimum DC current gain ile sinyal yönetimi ve işleme devrelerine uyumludur. Düşük kolektör kapalı akımı (500nA maks.) ve 250mV saturation voltajı, düşük güç tüketimi gerektiren uygulamalarda verimli çalışma sunar. Tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol ve IoT cihazlarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 187mW |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok