Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

SMUN2230T1G

TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
SMUN2230

SMUN2230T1G Hakkında

SMUN2230T1G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN transistördür. TO-236-3 (SC-59/SOT-23-3) yüzey monte paketinde sunulur. Entegre 1kΩ taban ve emitter-taban dirençleri ile yapılandırılmıştır. 230mW maksimum güç disipasyonu, 100mA maksimum kolektör akımı ve 50V kolektör-emitter gerilim dayanımına sahiptir. Dc current gain (hFE) 3 (5mA, 10V koşullarında), Vce saturation 250mV ile karakterizedir. Düşük sinyal amplifikasyon uygulamaları, anahtar devreleri ve drive uygulamalarında kullanılır. Ön beslemeli yapısı sağlayan entegre dirençler, harici biyaslama devresi gereksinimini azaltarak tasarımı basitleştirir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 3 @ 5mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 230 mW
Resistor - Base (R1) 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 1 kOhms
Supplier Device Package SC-59
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok