Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

SMUN2212T1G

TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
SMUN2212

SMUN2212T1G Hakkında

SMUN2212T1G, onsemi tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SC-59 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 50V collector-emitter voltajı ve 100mA collector akımı ile çalışır. İç yapısında 22kΩ base resistor ve 22kΩ emitter-base resistor bulunur. Maksimum 230mW güç harcama kapasitesine sahiptir. 60 minimum DC current gain (hFE) ile işaret koşullandırma, lojik seviye kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Düşük collector cutoff akımı (500nA) ve 250mV saturation voltajı sayesinde düşük güç tüketimli tasarımlarda tercih edilir. Gömülü dirençleri nedeniyle harici biyaslandırma dirençlerine gerek duymaz, bu da PCB alanını tasarruf ettirir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 230 mW
Resistor - Base (R1) 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 22 kOhms
Supplier Device Package SC-59
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok