Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
SMSD602-RT1G
TRANS NPN 50V 500MA SC59-3
SMSD602-RT1G Hakkında
SMSD602-RT1G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-236-3 (SC-59/SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 50V kolektör-emitter kırılma gerilimi ve 500mA maksimum kolektör akımı ile tasarlanmıştır. 200mW güç sınırlaması ile düşük güçlü anahtarlama ve sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 120 minimum DC akım kazancı (hFE) ile mantık devre kontrolü, LED sürücüleri, ses amplifikatörleri ve genel amaçlı anahtarlama devreleri için uygun bir seçimdir. Surface mount teknolojisi sayesinde yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında verimli kullanım sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 150mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Supplier Device Package | SC-59 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 30mA, 300mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok