Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
SMMUN2216LT1G
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
SMMUN2216LT1G Hakkında
SMMUN2216LT1G, onsemi tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) bir BJT transistördür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, entegre baz direnci (4.7 kΩ) ile birlikte gelir ve düşük sinyalli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 50V maksimum kolektor-emitter gerilimi, 100mA maksimum kolektor akımı ve 160 minimum DC akım kazancı özellikleriyle, ses sinyalleri, lojik devreler, röle kontrolü ve voltaj seviyesi dönüşümü gibi uygulamalarda tercih edilir. Düşük cutoff akımı (500nA) ve 250mV saturation gerilimi ile verimli anahtarlama performansı sağlar. 246mW maksimum güç dissipasyonu kapasitesiyle kompakt devre tasarımlarında yer kazandırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 246 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok