Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

SMMUN2215LT1G

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
SMMUN2215

SMMUN2215LT1G Hakkında

SMMUN2215LT1G, onsemi tarafından üretilen yüksek entegrasyon seviyesine sahip NPN ön beslemeli transistördür. SOT-23-3 (SC-59, TO-236-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 50V Vce darbelenme gerilimi ve 100mA kolektör akımı ile çalışabilir. Dahili 10kΩ base direnç ile önceden tasarlanmış yapısı sayesinde, baskı devre tasarımında basit ve güvenilir anahtarlama uygulamaları sağlar. 246mW maksimum güç tüketimi ve 160 minimum DC akım kazancı (hFE) ile, düşük sinyal işleme ve anahtarlama devrelerinde, özellikle de sınırlı alan gerektiren mobil ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılır. Saturation gerilimi maksimum 250mV olup, aktif bölgede güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 246 mW
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok