Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
SMMUN2211LT1G
TRANS PREBIAS NPN 50 SOT23-3
SMMUN2211LT1G Hakkında
SMMUN2211LT1G, onsemi tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli bipolar transistördür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 100mA kollektor akımı ve 50V emitör-kollektor gerilimi kırılma değeri ile çalışır. Entegre 10kΩ base ve 10kΩ emitör-base dirençleri sayesinde ön biaslanmış tasarımı ile hızlı devreye alma ve kontrol uygulamalarında kullanılır. 35 minimum DC akım kazancı ile 5mA akımda ve 10V gerilimde başarılı anahtarlama işlevi gerçekleştirir. Maksimum 246mW güç dağılımı kapasitesi olan SMMUN2211LT1G, dijital sinyal işleme, darbe modülasyonu ve düşük güçlü anahtar uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 246 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok