Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
SMMJT350T1G
TRANS PNP 300V 0.5A SOT223
SMMJT350T1G Hakkında
SMMJT350T1G, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). SOT-223 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 300V collector-emitter kırılma gerilimi ve 500mA maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 650mW maksimum güç seviyesi ile ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yer alır. 30@50mA, 10V minimum akım kazancı (hFE) ile yüksek frekans ve audio uygulamalarında kullanılabilir. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 150°C) endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygunluğunu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 650 mW |
| Supplier Device Package | SOT-223 (TO-261) |
| Transistor Type | PNP |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok