Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
SMMBTH10-4LT3G
RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- SMMBTH10
SMMBTH10-4LT3G Hakkında
SMMBTH10-4LT3G, onsemi tarafından üretilen yüksek frekanslı NPN bipolar transistöründür. RF uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanan bu bileşen, 800MHz transition frekansı ve 25V maksimum collector-emitter gerilimi ile çalışır. Minimum 120 DC akım kazancı (hFE) özellikleriyle 4mA kolektör akımı ve 10V VCE şartlarında çalışabilir. SOT-23-3 (TO-236) kompakt paketinde sunulan transistör, -55°C ile 150°C arasında sıcaklıklarda kullanılabilir ve 225mW maksimum güç yayınlayabilir. Gürültü düşük RF amplifikatör devreleri, VHF/UHF uygulamaları, frekans çoğullayıcılar ve sinyal işleme sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 4mA, 10V |
| Frequency - Transition | 800MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 225mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok