Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

SMMBTA56LT3G

TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
SMMBTA56

SMMBTA56LT3G Hakkında

SMMBTA56LT3G, onsemi tarafından üretilen bir PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Maksimum 80V collector-emitter gerilim, 500mA collector akımı ve 225mW güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. 50MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanıma uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışan bileşen, audio amplifikasyon, sinyal anahtarlaması, darbe kontrolü ve düşük güçlü kuvvetlendirme devrelerinde tercih edilir. Düşük collector cutoff akımı (100nA max) ile kapalı durumdaki sızıntı akımını minimize eder.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition 50MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 225 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok