Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

SMMBTA56LT1G

TRANS PNP 80V 500MA SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
SMMBTA56

SMMBTA56LT1G Hakkında

SMMBTA56LT1G, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, SO-23 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 80V'luk maksimum kolektor-emitter gerilimi ve 500mA'lik maksimum kolektor akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 50MHz geçiş frekansı ve 225mW maksimum güç derecelendirmesi ile sinyal anahtarlaması ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı sayesinde endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında, özellikle güç yönetimi, anahtarlama ve empedans uyarlaması devrelerinde kullanım alanı vardır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition 50MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 225 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok