Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
SMMBT6521LT1G
TRANS NPN 25V 100MA SOT23-3
SMMBT6521LT1G Hakkında
SMMBT6521LT1G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 25V collector-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. DC akım kazancı (hFE) 2mA collector akımında 10V Vce'de minimum 300'dür. 225mW maksimum güç derecelendirmesi ile sinyal amplifikasyonu, anahtarlama ve düşük güçlü lojik uygulamalarında tercih edilir. 500mV saturation voltajı (5mA Ib, 50mA Ic'de) hızlı anahtarlama özellikleri sunar. Kompakt boyutu sayesinde yoğun PCB tasarımlarında yer kazandırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 2mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 225 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok