Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

SMMBT5551LT3G

TRANS NPN 160V 600MA SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
SMMBT5551

SMMBT5551LT3G Hakkında

SMMBT5551LT3G, onsemi tarafından üretilen yüksek voltaj NPN bipolar transistörüdür. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 160V kolektör-emiter kırılma voltajı ve 600mA maksimum kolektör akımı ile tasarlanmıştır. 225mW güç sınırlaması ile çalışan transistör, -55°C ile 150°C arasında işletme sıcaklığında kararlı performans sunar. DC akım kazancı (hFE) 10mA ve 5V koşullarında minimum 80 değerine sahiptir. 200mV satürasyon voltajı ve 100nA kolektör kesme akımı sayesinde anahtarlama uygulamalarında etkili kullanıma uygundur. Röle kontrolleri, ses amplifikatörleri ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 225 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok