Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
SMMBT5551LT1G
TRANS NPN 160V 600MA SOT23-3
SMMBT5551LT1G Hakkında
SMMBT5551LT1G, onsemi tarafından üretilen yüksek voltajlı NPN bipolar junction transistördür. SOT-23-3 (TO-236) yüzeye monte paketinde sunulan bu komponent, 160V maksimum kolektör-emitter gerilimi ve 600mA maksimum kolektör akımı ile çalışabilir. 80 minimum DC akım kazancına (hFE) sahip transistör, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 225mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile düşük sinyal seviyesi kontrolü, ses amplifikasyonu, lojik seviyelendirme ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde uygundur. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilen bu transistör, kompakt tasarımı sayesinde yoğun PCB tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 225 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok