Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

SMMBT3906LT1G

TRANS PNP 40V 200MA SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
SMMBT3906

SMMBT3906LT1G Hakkında

SMMBT3906LT1G, onsemi tarafından üretilen yüksek hızlı PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, surface mount SOT-23-3 paketinde sunulmaktadır. Maksimum 200 mA kolektör akımı, 40 V kolektör-emitter gerilimi ve 250 MHz transition frekansı ile karakterize edilmiştir. DC akım kazancı (hFE) minimum 100 değerinde, doyum voltajı maksimum 400 mV'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 300 mW maksimum güç tüketimi ile belirtilmiştir. Ses frekans ve RF uygulamaları, genel sinyal işleme ve anahtarlama devreleri başta olmak üzere, sinyali amplifikasyon gerektiren ve düşük güç tüketimi esas olan elektronik tasarımlarda yaygın olarak kullanılır. Kompakt boyutu ve yüksek frekans performansı nedeniyle mobil cihazlar, tüketici elektroniği ve endüstriyel kontrol devreleri için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 200 mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition 250MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 300 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok