Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

SMMBT2369ALT1G

SMMBT2369 - NPN BIPOLAR TRANSIST

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
SMMBT2369

SMMBT2369ALT1G Hakkında

SMMBT2369ALT1G, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek integre yoğunluklu NPN bipolar transistördür. Surface Mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu komponent, 200 mA kolektör akımı ve 225 mW güç derecelendirmesine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, düşük sinyal amplifikasyonu, switching uygulamaları ve genel amaçlı elektronik devrelerde kullanılır. 15V kolektör-emiter kırılma gerilimi ve 500mV saturasyon gerilimi ile çeşitli analog ve dijital devre tasarımlarında tercih edilir. Kompakt boyutu sayesinde yoğun PCB yerleşimlerinde idealdir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 200 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 400nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 100mA, 1V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 225 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok