Transistörler - JFET
SMMBFJ177LT1G
TRANS JFET P-CH SOT23
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - JFET
- Seri / Aile Numarası
- SMMBFJ177
SMMBFJ177LT1G Hakkında
SMMBFJ177LT1G, onsemi tarafından üretilen P-Channel Junction Field Effect Transistor (JFET) bileşenidir. SOT-23 (TO-236) yüzey monte paketinde sunulan bu transistör, 1.5 mA drenaj akımı (Idss) ve 300 Ohm RDS(On) değerleri ile karakterize edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan bileşen, 225 mW maksimum güç yayılımı kapasitesindedir. Düşük input kapasitanslı tasarımı (11pF @ 10V) ve 30V gate-source aralama voltajı, yüksek impedans uygulamaları, anahtarlama devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılmaya uygundur. Düşük gürültülü amplifikasyon devrelerinde, RF uygulamalarında ve hassas sinyali işleme devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 1.5 mA @ 15 V |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11pF @ 10V (VGS) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 225 mW |
| Resistance - RDS(On) | 300 Ohms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 30 V |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 800 mV @ 10 nA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok