Transistörler - JFET

SMMBFJ175LT1G

TRANS JFET P-CH 30V SOT23

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
SMMBFJ175

SMMBFJ175LT1G Hakkında

SMMBFJ175LT1G, onsemi tarafından üretilen P-Channel JFET transistördür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 30V breakdown voltajı ve 125 Ohm RDS(On) değeri ile düşük sinyalli anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 7mA Idss rating'i, -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında sabit performans sağlar. Düşük input kapasitansi (11pF) sayesinde yüksek frekanslı devreler, ses preamplifikatörleri ve hassas ölçüm devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 7 mA @ 15 V
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11pF @ 10V (VGS)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 225 mW
Resistance - RDS(On) 125 Ohms
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 30 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 3 V @ 10 nA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok