Transistörler - JFET

SMMBF4391LT1G

JFET N-CH 30V 0.225W SOT23

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
SMMBF4391

SMMBF4391LT1G Hakkında

SMMBF4391LT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel JFET transistördür. SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 30V drain-source gerilim dayanımı ve 50mA idss karakteristiğine sahiptir. 225mW güç derecelendirmesi ve 30 Ohm RDS(On) direnci ile düşük sinyalli anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C), radyo frekansı, ses uygulamaları ve genel amaçlı sinyal işleme devrelerinde tercih edilir. Compact koruma paketi sayesinde alanı sınırlı tasarımlara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 50 mA @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 14pF @ 15V (VGS)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 225 mW
Resistance - RDS(On) 30 Ohms
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 30 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 4 V @ 10 nA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok