Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
SMBTA56E6327HTSA1
TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- SMBTA56
SMBTA56E6327HTSA1 Hakkında
SMBTA56E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, maksimum 80V Vce breakdown voltajı ve 500mA kolektör akımı ile çalışabilir. 100MHz transition frequency özelliğine sahip olan bileşen, 330mW güç kapasitesi ile anahtarlama ve küçük sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 150°C maksimum işletme sıcaklığında güvenli bir şekilde çalışır. Düşük leakage akımı (100nA) ve düşük saturation voltajı (250mV) özellikleri sayesinde endüstriyel kontrol devreleri, sensör arayüzleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Not: Bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 330 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok