Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
SMBTA42E6327HTSA1
TRANS NPN 300V 500MA SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- SMBTA42E6327
SMBTA42E6327HTSA1 Hakkında
SMBTA42E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek voltaj NPN BJT transistörüdür. 300V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ve 500mA maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 70MHz transition frekansı ve 40 DC current gain değerleri ile bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde uygulanabilir. SOT23-3 (TO-236) yüzeye monte paketinde sunulan komponentin maksimum güç tüketimi 360mW'dir. İş sıcaklığı 150°C'ye kadar desteklenmektedir. Uydu haberleşme, endüstriyel kontrol sistemleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında tercih edilmektedir. Not: Bu bileşen yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 30mA, 10V |
| Frequency - Transition | 70MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 360 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 2mA, 20mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok