Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

SMBTA06E6327HTSA1

TRANS NPN 80V 0.5A SOT-23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
SMBTA06

SMBTA06E6327HTSA1 Hakkında

SMBTA06E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 80V Vce(br) ile orta voltaj uygulamalarına uygundur. 500mA maksimum kolektör akımı ve 100 MHz transition frequency ile hız gerektiren devrelerde tercih edilir. Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu bileşen, düşük güç tüketimi gerektiren portabil cihazlar, kontrol devreleri ve sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 150°C maksimum işletme sıcaklığında güvenilir performans sağlar. Not: Bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Not For New Designs
Power - Max 330 mW
Supplier Device Package PG-SOT23
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok