Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
SMBT3906E6327HTSA1
TRANS PNP 40V 200MA SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- SMBT3906
SMBT3906E6327HTSA1 Hakkında
SMBT3906E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 40V collector-emitter gerilimi ve 200mA maksimum collector akımı ile çalışabilir. 250MHz geçiş frekansı ve minimum 100 DC akım kazancı (hFE) özellikleriyle, düşük güçlü anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 330mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile ses, radyo ve genel sinyal işleme devrelerinde tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Not: Bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir (Part Status: Not For New Designs).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 330 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok