Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

SMBT35200MT1G

TRANS PNP 35V 2A 6TSOP

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
SMBT35200

SMBT35200MT1G Hakkında

SMBT35200MT1G, onsemi tarafından üretilen yüksek hızlı PNP bipolar junction transistörüdür. 35V maksimum collector-emitter gerilimi ve 2A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 100MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. SOT-23-6 Surface Mount paketinde sunulan bu transistör, darbe şekillendirme, amplifikasyon, RF uygulamaları ve endüstriyel kontrol devreleri gibi alanlarda tercih edilir. 625mW maksimum güç tüketimi ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı sağladığından, geniş sıcaklık ortamlarında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 2 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1.5A, 1.5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power - Max 625 mW
Supplier Device Package 6-TSOP
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 310mV @ 20mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 35 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok