Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
SMBT2907AE6327HTSA1
TRANS PNP 60V 600MA SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- SMBT2907A
SMBT2907AE6327HTSA1 Hakkında
SMBT2907AE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu transistör, 60V Vce(breakdown) ve 600mA maksimum kolektör akımı ile çalışır. 200MHz transition frekansı ile orta frekanslı uygulamalara uygun olup, 330mW maksimum güç tüketimine sahiptir. DC current gain (hFE) en az 100 değerindedir. Anahtarlama devreleri, sinyal amplifikasyonu ve genel amaçlı analog uygulamalarında kullanılan bu bileşen, -40°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında çalışabilir. Not: Bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir (Not For New Designs).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 330 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok