Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
SMBT2222AE6327HTSA1
TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- SMBT2222A
SMBT2222AE6327HTSA1 Hakkında
SMBT2222AE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, Surface Mount teknolojisi ile SOT-23-3 paketinde sunulmaktadır. Maksimum 40V Vce voltaj desteği ve 600mA kolektör akımı kapasitesi ile genel amaçlı anahtarlama ve düşük sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 300MHz transition frequency ve 100 minimum hFE (150mA, 10V koşullarında) değerleri ile orta frekanslı devrelerde performans gösterir. 330mW maksimum güç dissipasyonu ve 150°C maksimum junktion sıcaklığı ile endüstriyel uygulamalar için tasarlanmıştır. Ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri, darbe şekillendirme ve düşük güçlü RF devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 330 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok