Transistörler - IGBT - Tekil
SKB15N60HSATMA1
IGBT 600V 27A 138W TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SKB15N60HSATMA1
SKB15N60HSATMA1 Hakkında
SKB15N60HSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT transistördür. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu komponent, 27A sürekli collector akımı ve 60A pulse akımı kapasitesiyle çalışır. Maksimum 138W güç dağıtım yeteneğine sahiptir. 80nC gate charge ve 111ns reverse recovery time özellikleriyle devrelerde hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Vce(on) maksimum 3.15V (15V gate, 15A collector akımında) olup, power conversion, motor kontrol ve inverter uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Ürün Obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 27 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| Gate Charge | 80 nC |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 138 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 111 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Switching Energy | 530µJ |
| Td (on/off) @ 25°C | 13ns/209ns |
| Test Condition | 400V, 15A, 23Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.15V @ 15V, 15A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok