Transistörler - IGBT - Tekil
SKB15N60ATMA1
IGBT 600V 31A 139W TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SKB15N60ATMA1
SKB15N60ATMA1 Hakkında
SKB15N60ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. NPT tipi yapısı ile tasarlanmış olan bu bileşen, maksimum 31A DC kollektör akımı ve 62A pulse akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paket ile sunulan transistör, 139W maksimum güç dağıtımı yapabilmektedir. 76nC gate charge ve 279ns reverse recovery time değerleri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu IGBT, güç elektronikleri, invertör devreleri, motor sürücüleri ve kontrol uygulamalarında tercih edilir. 2.4V @ 15V gate geriliminde açılış voltajı özellikleri ile düşük kayıplar sağlar. Ürün üretimi sonlandırılmış (Obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 31 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 62 A |
| Gate Charge | 76 nC |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 139 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 279 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Switching Energy | 570µJ |
| Td (on/off) @ 25°C | 32ns/234ns |
| Test Condition | 400V, 15A, 21Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 15A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok