Transistörler - IGBT - Tekil
SKB06N60HSATMA1
IGBT 600V 12A 68W TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SKB06N60HSATMA1
SKB06N60HSATMA1 Hakkında
SKB06N60HSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT transistördür. 12A sürekli collector akımı ve 24A pulsed akım kapasitesine sahiptir. Surface mount TO-263-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme uygulamaları, motor kontrolü, inverter devreleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi endüstriyel elektronik sistemlerde kullanılır. 33nC gate charge ve 190µJ switching energy ile düşük geçiş kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilmekte ve maksimum 68W güç tüketebilmektedir. Td(on) 11ns ve Td(off) 196ns değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 12 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 24 A |
| Gate Charge | 33 nC |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 68 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 100 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Switching Energy | 190µJ |
| Td (on/off) @ 25°C | 11ns/196ns |
| Test Condition | 400V, 6A, 50Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.15V @ 15V, 6A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok