Transistörler - IGBT - Tekil
SKB02N60E3266ATMA1
IGBT 600V 6A 30W TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SKB02N60E3266ATMA1
SKB02N60E3266ATMA1 Hakkında
SKB02N60E3266ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT transistördür. 6A sürekli kolektör akımı, 12A darbe akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 30W güç yönetimi yapabilir. 14nC geçit yükü ve 130ns ters iyileşme zamanı ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu IGBT, endüstriyel sürücü devreleri, DC/DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç elektronik uygulamalarında tercih edilir. Vce(on) değeri 2.4V @ 15V, 2A'dir. Not: Bu ürün kullanımdan kaldırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 12 A |
| Gate Charge | 14 nC |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 30 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 130 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Switching Energy | 64µJ |
| Td (on/off) @ 25°C | 20ns/259ns |
| Test Condition | 400V, 2A, 118Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok