Transistörler - IGBT - Tekil
SKB02N60ATMA1
IGBT 600V 6A 30W TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SKB02N60ATMA1
SKB02N60ATMA1 Hakkında
SKB02N60ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V, 6A kapasiteli NPT tipi IGBT transistörüdür. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu komponent, switching uygulamalarında ve güç dönüştürme devrelerinde kullanılır. Maksimum 30W güç dağıtabilir ve 30W güç sınırına sahiptir. Türkçe çeviri yapıldığında collector akımı maksimum 6A, pulse'da 12A'ye ulaşabilir. Gate charge değeri 14nC ve reverse recovery time 130ns'dir. Çalışma sıcaklık aralığı -55°C ile 150°C arasında değişir. VCE(on) maksimum değeri 15V gate voltajında 2A collector akımında 2.4V'tur. Breakdown voltage 600V'dir. 20ns açılış ve 259ns kapanış süresi ile hızlı switching özellikleri barındırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 12 A |
| Gate Charge | 14 nC |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 30 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 130 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Switching Energy | 64µJ |
| Td (on/off) @ 25°C | 20ns/259ns |
| Test Condition | 400V, 2A, 118Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok