Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIZF920DT-T1-GE3
MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Seri / Aile Numarası
- SIZF920DT
SIZF920DT-T1-GE3 Hakkında
SIZF920DT-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET dizisidir. 30V drain-source gerilim değerine sahip bu bileşen, 28A (Ta) ile 197A (Tc) arasında değişen sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. PowerPair® paket tasarımı ile 8-PowerWDFN konfigürasyonunda sunulan komponent, düşük on-resistance değeri (1.05mOhm @ 10A, 10V) sayesinde verimli güç dönüşümü sağlar. Gate charge değerleri 29nC ile 125nC arasında değişir. Maksimum 28W (Tc) güç disipasyonu kapasitesi ile DC-DC konvertörler, motor sürücüleri, güç yönetimi uygulamaları ve anahtarlama devreleri gibi alanlarda kullanılır. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygunluk sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V, 125nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PowerPair® (6x5) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok