Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIZF918DT-T1-GE3
MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAIR 6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Seri / Aile Numarası
- SIZF918DT
SIZF918DT-T1-GE3 Hakkında
SIZF918DT-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj desteği ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 23A (Ta) ve 40A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesi bulunmaktadır. 4mOhm RDS(on) değeri ile düşük açık direnci sağlayarak verimli anahtarlama performansı sunar. Surface mount 8-PowerWDFN paketi ile kompakt tasarımları destekler. Gate charge özelliği 22nC ile hızlı anahtarlama devrelerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. DC-DC konvertörler, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Ta), 40A (Tc), 35A (Ta), 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V, 56nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1060pF @ 15V, 2650pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 3.7W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 10A, 10V, 1.9mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PowerPair® (6x5) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA, 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok