Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIZF916DT-T1-GE3
MOSFET N-CH DUAL 30V
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Seri / Aile Numarası
- SIZF916DT
SIZF916DT-T1-GE3 Hakkında
SIZF916DT-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilim (Vdss) ve 23A sürekli drenaj akımı (Ta=25°C) kapasitesine sahiptir. Düşük on-state direnci (RDS(on)) karakteristiği ile 4mΩ (10A, 10V) değerinde belirtilmiştir. PowerWDFN 8-pin yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, endüstriyel kontrol sistemleri, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 150°C) sayesinde otoomotiv ve yüksek sıcaklık ortamlarında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V, 95nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PowerPair® (6x5) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok