Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIZF914DT-T1-GE3
DUAL N-CH 25-V (D-S) MOSFET W/SC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Seri / Aile Numarası
- SIZF914DT
SIZF914DT-T1-GE3 Hakkında
SIZF914DT-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. 25V Drain-Source gerilimi ile çalışan bu komponent, 23.5A ile 60A arasında sürekli drenaj akımı sağlar. RDS(on) değeri 3.8mOhm ile 0.9mOhm arasında değişen bu transistör, düşük açılma direnci ile güç uygulamalarında verimli çalışır. 8-PowerWDFN paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Gate charge özellikleri 21nC ile 98nC arasında olan SIZF914DT, düşük giriş kapasitansı ve hızlı anahtarlama gerektiren motor kontrol, DC-DC konvertörleri, güç yönetimi devreleri ve hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23.5A (Ta), 40A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V, 98nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1050pF @ 10V, 4670pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 10A, 10V, 0.9mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PowerPair® (6x5) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok