Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIZF906DT-T1-GE3
MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Seri / Aile Numarası
- SIZF906DT
SIZF906DT-T1-GE3 Hakkında
SIZF906DT-T-GE3, Vishay tarafından üretilen 2 N-Channel yarım köprü (Half Bridge) MOSFET dizisidir. 30V drain-source gerilimi ve 60A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 3.8mOhm RDS(on) değeri düşük iletim kaybı sağlar. Surface mount 8-PowerWDFN paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, motor kontrol, inverter ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. 22nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği sunar. Gömülü sistem, endüstriyel elektronik ve otoomotiv uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TA) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 38W (Tc), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PowerPair® (6x5) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok