Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIZF906BDT-T1-GE3
DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Seri / Aile Numarası
- SIZF906BDT
SIZF906BDT-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIZF906BDT-T1-GE3, dual N-channel MOSFET transistör olup 30V drain-source voltajında çalışan bir güç anahtarlama elemanıdır. 36A (Ta) ile 257A (Tc) arasında değişen drain akımı kapasitesiyle, düşük on-resistance (Rds) değerleri sayesinde enerji verimliliği sağlar. Surface mount PowerWDFN paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışan ortamlara uygun tasarlanmıştır. Motor kontrol, güç dönüştürücü uygulamaları, anahtarlama devreleri ve yüksek akım gerektiren DC-DC konvertörlerde kullanılır. Düşük gate charge ve input capacitance değerleri hızlı anahtarlama özelliği sunarak ısıl kayıpları azaltır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49nC @ 10V, 165nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1630pF @ 15V, 5550pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 15A, 10V, 680µOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PowerPair® (6x5) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok