Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIZF906ADT-T1-GE3
MOSFET DUAL N-CHAN 30V
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Seri / Aile Numarası
- SIZF906ADT
SIZF906ADT-T1-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIZF906ADT-T1-GE3, dual N-channel MOSFET transistörüne sahip bir FET dizisidir. 30V drain-source voltaj derecesine ve 27A sürekli drenaj akımına (Ta'da) sahiptir. PowerWDFN 8-pin paketinde sunulan bu komponent, düşük Rds(on) değerleri (3.8mΩ @ 15A, 10V) sayesinde güç uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında kullanılabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. Schottky tipi FET özelliği ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49nC @ 10V, 200nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PowerPair® (6x5) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok